三星預計在 2027 年推進 1.4nm 製程技術,將更積極爭取美國境內晶圓代工市場
【此文章來自:Mashdigi】
將在 2025 年讓 2nm 製程技術進入量產
在加州舉辦的三星晶圓代工論壇中,三星宣布將在未來 5 年內將製程技術推進至 1.4nm 規格,並且預計在 2027 年將晶圓代工業務營收增加為 2021 年的 3 倍。
三星日前已經宣布其 3nm 製程代工晶片產品已經正式出貨,並且強調領先其他競爭業者實現 3nm 製程技術量產。在此次論壇中,三星電子晶圓代工事業執行副總裁康文秀 (Moon-soo Kang) 表示,為了能在 2027 年實現進入 1.4nm 製程技術發展,三星將在諸多半導體技術取得飛躍式進展,並且在美國擴大晶圓代工業務發展。
除了計畫在 2027 年進入 1.4nm 製程技術發展,三星更宣布將強化其環繞式閘極 (gate-all-around,GAA) 技術,在第二代設計中,將比第一代設計讓晶體管尺寸縮減 20%,藉此在晶圓面積內放入更多電晶體管,同時也能提高晶圓每單位功率運作效率。
另外,三星也透露將在 2025 年讓 2nm 製程技術進入量產,藉此提高晶圓量產製作能力。
目前三星也計畫積極爭取美國境內晶圓代工市場,除了在德州奧斯汀的工廠,目前也計畫在鄰近泰勒市興建全新工廠,預計在 2024 年開始運作,並且計畫以最新 3nm 製程技術提供代工量產資源。
將在 2025 年讓 2nm 製程技術進入量產
在加州舉辦的三星晶圓代工論壇中,三星宣布將在未來 5 年內將製程技術推進至 1.4nm 規格,並且預計在 2027 年將晶圓代工業務營收增加為 2021 年的 3 倍。
三星日前已經宣布其 3nm 製程代工晶片產品已經正式出貨,並且強調領先其他競爭業者實現 3nm 製程技術量產。在此次論壇中,三星電子晶圓代工事業執行副總裁康文秀 (Moon-soo Kang) 表示,為了能在 2027 年實現進入 1.4nm 製程技術發展,三星將在諸多半導體技術取得飛躍式進展,並且在美國擴大晶圓代工業務發展。
除了計畫在 2027 年進入 1.4nm 製程技術發展,三星更宣布將強化其環繞式閘極 (gate-all-around,GAA) 技術,在第二代設計中,將比第一代設計讓晶體管尺寸縮減 20%,藉此在晶圓面積內放入更多電晶體管,同時也能提高晶圓每單位功率運作效率。
另外,三星也透露將在 2025 年讓 2nm 製程技術進入量產,藉此提高晶圓量產製作能力。
目前三星也計畫積極爭取美國境內晶圓代工市場,除了在德州奧斯汀的工廠,目前也計畫在鄰近泰勒市興建全新工廠,預計在 2024 年開始運作,並且計畫以最新 3nm 製程技術提供代工量產資源。
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Mashdigi
出生自台灣高雄的楊又肇,以前聯合新聞網 (udn.com)數位頻道主編,以及在各網站頻道以本名或Mash Yang名稱維持提供撰寫、授權內容等身分,持續在網路、科技相關活動、展覽出沒。撰寫內容涵蓋個人感興趣內容,包含手機、網路、軟體、零組件,以及科技市場動態,另外也包含各類惡趣味內容,並且持續關注蘋果、微軟、Google、Intel、AMD、Nvidia等經常在你我生活中出現的科技廠商動態。
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