三星半導體宣佈 3 奈米製程進入量產，功耗可降 45% 並提升 23% 效能表現

全球半導體兩大龍頭都在朝 3 奈米世代前進，而三星在昨天搶先宣布旗下 3 奈米製程進入量產，採用全新 GAA 技術，官方宣稱相較 5 奈米製程，GAA 3 奈米製程可減少晶片功耗 45%，提升 23% 效能表現，並縮小 16% 表面積。



三星宣佈已經在韓國華城的廠區中，成功以 GAAFET 製程量產 3 奈米晶片，三星的第一代 3 奈米製程採用 GAA 技術搭配 MBCFET 架構，可以突破原本 FinFET 的技術限制，降低晶片所需電壓，並提高驅動電流，達到省電以及效能表現提升。



三星 3 奈米製程首波將應用在高效能低功耗的運算產品，之後也將延伸到行動裝置領域。先前有韓國媒體報導，中國的挖礦晶片設計公司上海磐矽半導體是三星的 3 奈米製程客戶，高通同樣也已下訂產能，但將視情況實際下單。



雖然三星在 3 奈米節點搶先量產，不過中央社訪問工研院產科國際所研究總監楊瑞臨，則指出全球 GAA 技術生態系尚未成熟，GAA 相關的蝕刻及量測問題，以及材料、化學品等都有問題需要克服，ASML 的首台高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影曝光設備也尚未生產，三星以現有的製程方案以 GAA 3 奈米製程量產，成本將會提高、交貨期拉長並且良率提升緩慢。

楊瑞臨也表示如此一來三星難以建立成本模型，因此也難對客戶提出報價，台經院產經資料庫研究員暨總監劉佩真也說，三星 3 奈米製程仍未接獲實際訂單，宣布量產的消息宣傳意義大過實際意義。三星半導體雖然擁有不少客戶，但以往先進製程開始量產時，初期都會以三星內部使用為主。

市調機構 TrendForce 集邦科技統計，2022 年的第一季全球晶圓代工市佔率，台積電以 53.6% 高居第一，三星則以 16.3% 位居第二，三星在 3 奈米率先宣布量產，可能是希望以此拉近與台積電的距離，另外三星也計畫在 2025 年以 GAA 技術生產 2 奈米晶片，而台積電則計劃在今年下半，進入 3 奈米製程量產。


引用來源：Samsung Newsroom、中央社（1）、（2）