配備全球最大雙 VC 散熱面積 Realme GT 6 確定採用 S8s gen3 晶片組

Realme 宣布將於 6 月 20 日推出的 GT 6將搭載 Snapdragon 8s Gen 3 SoC，並配備「全球最大的雙 VC 散熱面積」。Realme 還表示 GT 6 將具有「Geek Power Tuning」功能，使 Snapdragon 8s Gen 3 成為「有史以來第一個可自訂的晶片組」。



 

超高螢幕亮度

此外，該品牌還透露，Realme GT 6 的挖孔螢幕將具有 6,000nits 的峰值亮度。Realme GT 6 將提供與 GT 6T 相同的顏色，並配備三鏡頭系統，其中配有帶 OIS 的 5,000 萬畫素的主鏡頭。大家可以期待 Realme 在 6 月 20 日首次亮相的 GT 6 ，因為據傳這款手機也有引進台灣的可能。

 




來源：GSMarena