Note 20 系列有望採用！三星開始量產 512GB eUFS 3.1 晶片

雖然目前關於三星的 2020 年下半年旗艦：Galaxy Note 20 系列的情報還不多，但除了可預期會在 S Pen 的應用方面更加進化之外，也可預期儲存晶片的規格會比當前的 Galaxy S20 系列更進化。因為三星正式宣布，開始大規模量產 512GB 的 eUFS 3.1 晶片，寫入速度比 512GB 的 eUFS 3.0 晶片要快上 3 倍。



三星表示開始大量生產的 512GB 的 eUFS 3.1 晶片，連續寫入速度超過 1,200MB / s，比 512GB eUFS 3.0 的 400MB/s 要快上 3 倍之多。另外，512GB 的 eUFS 3.1 晶片還具備 
100,000 / 70,000 IOPS 的隨機讀寫表現，這部分也比當前的產品要快上 60%。

三星表示，512GB 的 eUFS 3.1 晶片可讓消費者更快速、順暢的保存 8K 超高畫質影片，同時也只要 90 秒鐘就能傳完成 100GB 的檔案傳輸，而舊款產品則是需要 4 分鐘以上。

除了 512GB 的 eUFS 3.1 晶片，三星後續也將陸續生產提共給智慧型手機使用的 128GB、256GB 容量  eUFS 3.1 晶片。