散熱架構提升，高通下代旗艦晶片 S8 Elite Gen 6 系列遭大爆料！
高通下一代旗艦晶片 Snapdragon 8 Elite Gen 6 系列，近期再度傳出新爆料，而這次焦點不只是在效能規格，而是散熱架構部分可能迎來關鍵革新。
根據外媒報導，由中國來源流出的方塊圖顯示，高通有望在 Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro 上導入名為 Heat Pass Block 的散熱設計，據說這種技術與三星 Exynos 2600 採用的方案相同，特色是在晶片封裝頂部加入專用的導熱層，讓熱量能更快速被帶離核心區域，避免過熱過早成為效能瓶頸。考量到高通近年持續追求更高時脈表現，甚至有傳聞指出 Gen 6 Pro 最高時脈可能挑戰 6GHz，若沒有更強的散熱支援，勢必很難長時間維持，因此 HPB 技術很可能是為了替極高頻率鋪路的重要一步。
除了散熱升級外，這份洩漏資料也揭露了不少關於封裝與平台能力的設計細節。高通 Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro 可能採用 Package-on-Package 封裝設計，讓記憶體直接堆疊在處理器上方，以節省空間並提升效率，同時支援 LPDDR6 與 LPDDR5X 記憶體，以及透過雙高頻寬通道連接的 UFS 5.0 儲存規格。更厲害的是，爆料中還提到多螢幕輸出能力，暗示未來搭載此晶片的手機，或許能更完整支援外接螢幕、桌面模式等生產力應用。
整體來看，高通似乎不只是追求更高跑分，而是開始從底層架構著手，試圖讓旗艦晶片在高負載使用下也能跑得更久、更穩，至於這套 HPB 散熱是否會下放到標準版 Gen 6 晶片上，目前就有待後續消息確認了。
來源：GIzmochina
根據外媒報導，由中國來源流出的方塊圖顯示，高通有望在 Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro 上導入名為 Heat Pass Block 的散熱設計，據說這種技術與三星 Exynos 2600 採用的方案相同，特色是在晶片封裝頂部加入專用的導熱層，讓熱量能更快速被帶離核心區域，避免過熱過早成為效能瓶頸。考量到高通近年持續追求更高時脈表現，甚至有傳聞指出 Gen 6 Pro 最高時脈可能挑戰 6GHz，若沒有更強的散熱支援，勢必很難長時間維持，因此 HPB 技術很可能是為了替極高頻率鋪路的重要一步。
除了散熱升級外，這份洩漏資料也揭露了不少關於封裝與平台能力的設計細節。高通 Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro 可能採用 Package-on-Package 封裝設計，讓記憶體直接堆疊在處理器上方，以節省空間並提升效率，同時支援 LPDDR6 與 LPDDR5X 記憶體，以及透過雙高頻寬通道連接的 UFS 5.0 儲存規格。更厲害的是，爆料中還提到多螢幕輸出能力，暗示未來搭載此晶片的手機，或許能更完整支援外接螢幕、桌面模式等生產力應用。
整體來看，高通似乎不只是追求更高跑分，而是開始從底層架構著手，試圖讓旗艦晶片在高負載使用下也能跑得更久、更穩，至於這套 HPB 散熱是否會下放到標準版 Gen 6 晶片上，目前就有待後續消息確認了。
來源：GIzmochina
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