台積電證實2nm製程將於2025年投入量產,可在相同功耗下提高10-15%執行效能
【此文章來自:Mashdigi】
相比3nm製程,台積電表示2nm製程可在相同功耗下提高10-15%執行效能,而在相同效能下則可降低25-30%功耗。
在設計上,2nm製程技術採用奈米片電晶體 (Nanosheet)設計,藉此取代過往使用多年的鰭式場效應晶體管 (FinFET)設計,同時也能結合Chiplet小晶片設計方案,分別可對應行動裝置運算,以及高效能運算處理器設計需求。
至於3nm製程技術則會在今年下半年投入量產,其中將整合新版FINLEX,同樣可讓設計者能以更多彈性打造晶片,例如對應超高效能運算,或是著重功耗表現,以及在兩者之間取得平衡。而台積電預期3nm製程應用時間將會拉長,藉此滿足更多市場使用需求。
另外,台積電也透露將在2024年引進高數值孔徑極紫外光 (high-NA EUV)光刻機,但初期會先以應用研究為主,暫時不會太快投入實際量產使用。
3nm製程今年下半年投入量產
在美國加州聖塔克拉拉恢復實體形式舉辦的北美技術論壇中,台積電宣布將於2025年開始投入2nm製程量產。相比3nm製程,台積電表示2nm製程可在相同功耗下提高10-15%執行效能,而在相同效能下則可降低25-30%功耗。
在設計上,2nm製程技術採用奈米片電晶體 (Nanosheet)設計,藉此取代過往使用多年的鰭式場效應晶體管 (FinFET)設計,同時也能結合Chiplet小晶片設計方案,分別可對應行動裝置運算,以及高效能運算處理器設計需求。
至於3nm製程技術則會在今年下半年投入量產,其中將整合新版FINLEX,同樣可讓設計者能以更多彈性打造晶片,例如對應超高效能運算,或是著重功耗表現,以及在兩者之間取得平衡。而台積電預期3nm製程應用時間將會拉長,藉此滿足更多市場使用需求。
另外,台積電也透露將在2024年引進高數值孔徑極紫外光 (high-NA EUV)光刻機,但初期會先以應用研究為主,暫時不會太快投入實際量產使用。
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